新聞 : 三星鐵了心要搶 HBM4 市場，加速蓋平澤晶圓廠

韓國中央日報報導，韓國三星正加速其位於京畿道平澤的晶圓廠建設，此計畫代表著其在經歷數月新廠建設停滯後，三星準備在高頻寬頻記憶體（HBM）市場中，重新奪回被 SK 海力士（SK hynix）和美光（Micron）搶占的市場占比。

過去數月，三星陸續取得平澤市政府頒發的關鍵核准，尤其 P4 廠房，取得多個臨時使用許可，最近一次是 6 月初。許可讓三星全面竣工前，部分場地有限度使用，包括安裝設備、試營運或允許受限工作人員進入。

自 2024 年初以來，受晶片需求疲軟和內部資本配置考量影響，P4 以及鄰近的 P5 廠房的建設曾一度暫停。然而，近期 P4 廠區的活動顯示，三星正積極擴大生產規模，這與其透過下一代 HBM4 產品重奪記憶體市場領導地位的目標高度一致。而且，為了支持 HBM4 的生產，並提升目前約 40% 的良率，三星正加碼投資，以擴張平澤二期與四期以及華城的 17 號線的產能。儘管三星電子發言人拒絕對此計畫發表評論，但市場普遍認為這是其爭奪 HBM4 市場龍頭的關鍵步驟。

另外，三星押注先進 10 奈米級 1c 製程，用於即將問世的 HBM4 產品。這與 SK 海力士和美光科技計劃使用的前一代 1b 製程形成對比，儘管 1c 製程不必然性能卓越，但三星仍強調這是競爭優勢之一。4 月財報會議，三星透露正準備下半年啟動 HBM4 量產，目標第三季前完成內部核准並穩定良率。這時間表極具挑戰性，因為分析師指出，儘管 1c 製程良率改善，但仍處於發展階段。

大摩最新報告，三星可能 9 月前獲輝達（Nvidia）Rubin GPU 的 HBM4 樣品核准，為關鍵催化劑。獲核准後，不僅有龐大潛在市場使三星股價反彈，還能重塑 HBM 格局。輝達認證對三星 HBM 市場地位至關重要，不僅關乎實力，更直接影響市占和投資者信心。

然而，三星挑戰仍不容小覷。市場分析師警告，輝達的認證流程將比三星內部基準更為嚴苛的性能標準，尤其是在速度和功耗方面。目前，三星的 12 層堆疊 HBM3E 產品尚未獲得輝達的認證，但競爭對手 SK 海力士和美光均已跨過這一里程碑。事實上，SK 海力士已向輝達出貨了早期的 HBM4 樣品，這進一步凸顯了三星在 HBM4 競賽中所面臨的巨大壓力。

此外，三星在擴大生產規模方面也面臨著技術瓶頸和複雜的晶片架構。HBM4頻寬的升級需要更密集的導通孔（via holes）和更複雜的矽穿孔（through-silicon via，TSV）結構，這使得製造過程顯著更困難。這些技術挑戰不僅考驗著三星的工程能力，也對其生產良率和成本控制構成嚴峻考驗。

儘管面臨重重挑戰，記憶體市場的整體情緒依然樂觀，這受惠於人工智慧（AI）領域的持續強勁需求。市場分析師表示，全球 HBM 市場將在 2025 年達到 133.4%的 年成長，金額來到 430 億美元，並預計隨著 2028 年輝達搭載 1TB 記憶體的 Rubin Ultra 全面部署，市場規模將飆升至 1,350 億美元。這顯示 HBM 做為 AI 應用關鍵零組件的戰略地位非常關鍵。

因此，儘管三星在輝達的 HBM3E 認證上仍持續努力中，但其產品已獲得其他主要客戶的青睞。例如，美國超微（AMD）於 6 月 12 日推出了 MI350 AI GPU，其中就配備了由三星和美光供應的 288GB 12 層堆疊 HBM3E 記憶體。值得注意的是，這正是三星仍在尋求輝達認證的同款 HBM3E 產品。未來是不是也能一樣獲得輝達認證通過，則還有待後續的觀察。

由 科技新報 轉載