新聞 : 三星 HBM 三問題還沒打入輝達供應鏈，只能全力當博通的供應商

根據韓國朝鮮日報的報導，三星電子（Samsung Electronics）原定最快於2025年第二季向人工智慧（AI）晶片大廠輝達（Nvidia）供應第五代高頻寬記憶體（HBM3E）產品。然而，這批 12 層 HBM3E 的交付時程卻遭遇意料之外的延遲。目前，SK 海力士（SK Hynix）與美光（Micron）已搶先供貨輝達，使得三星電子在 HBM 市場的競爭壓力日益增加。

報導指出，三星電子預計將從2025年下半年開始向博通（Broadcom）供應HBM3E產品，並有望成為博通HBM3E供應鏈中的最大供應商，占比超過50%。不過，現在因為供應輝達的情況受阻，所以對於博通的供貨可能提前。兩者相較，三星在向博通供貨方面順利，而向輝達供貨方面則面臨三大技術問題的嚴峻考驗。

根據報導分析，三星針對輝達供貨方面面臨的三大技術問題，首先是未能達到輝達嚴苛的散熱標準。根據了解，輝達所要求的散熱標準約是博通所需標準的兩倍之高，博通的散熱標準不到輝達標準的一半。這是因為輝達的AI半導體是通用型產品，必須在各種環境下展現高效能，這導致其功耗極高，進而加劇晶片內部散熱問題。如果HBM產生過多熱量，將直接影響晶片的整體性能。目前，由於輝達的晶片以其業界領先的性能著稱，其散熱標準也因此高於AMD等競爭對手。

而面臨的第二大技術問題，市場指出是在資料傳輸問題方面。這方面是當三星電子的HBM在過熱等極端條件下運作時，其資料傳輸速度和準確性表現不如SK海力士和美光。然而，AI半導體性能的關鍵在於高效處理大量資料，這要求資料能盡可能快速、無瓶頸地傳輸，以支援輝達圖形處理器（GPU）進行高效學習。尤其，輝達採用其專屬的高效能網路系統NV Link，目的就是在確保在AI半導體密集部署的伺服器環境中，每個晶片都能快速響應，避免資料瓶頸。只是三星的HBM上搭載的DRAM存在性能問題，其在資料傳輸速度或準確性方面出現問題的可能性據稱高於競爭對手。這使得處理器無法精確識別透過HBM傳輸的資料，將直接影響由AI半導體驅動的AI模型性能。

最後一大問題則是在良率的部分。三星HBM的良率較低，這雖然是一個長期被提及的問題。但是，因為低良率不僅導致難以按時交付合約規定的數量，還會在價格談判中削弱競爭力。為此，三星正積極努力重新設計DRAM，以提升品質並穩定良率。半導體業界人士透露，隨然長期與散熱問題並存的良率問題已獲得快速改善。但是為了爭取進入輝達供應鏈，三星據稱產品價格設定還是得比競爭對手更低，這使得三星已經失去了主導性。

報導表示，三星電子在供貨輝達方面持續遭遇阻礙。市場人士表示，三星已在技術挑戰方面取得了顯著進展。一位產業相關人士指出，三星雖因這三大問題而較SK海力士和美光晚進入供應鏈，但近期已克服大部分技術難關。不過，由於輝達已將部分供應量分配給SK海力士和美光，三星與輝達的供應談判可能仍需時間。目前，三星電子正加速交付新世代HBM樣品，並積極與輝達進行供貨談判。

由 科技新報 轉載